三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。（)

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。（)

关于BJT的结构特点说法错误的是（)。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺

三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域 中间的一层为（)。A.基区B.栅区C.集电区D.发射区

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

工作在放大状态时 基区多子浓度会发生变化()

在制造三极管时 有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的 同时基区做得很薄。()