离子注入层的深度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量

什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

离子注入是借其（)强行进入靶材料中的一个（)物理过程。

半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（)加速到的需要的（)，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度

离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是（)和（)。

离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（)。A.能量B.剂量