光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（)。A.刻制图形B.绘

增感影屏是利用荧光作用原理增加感光效应的，可使X线胶片的感光增益A、10％B、20％～30％C、40％～60％D、80％

X线使胶片感光形成潜影是利用了X线的A．穿透性B．感光特性C．着色特性D．生物效应E．荧光效应

光刻工艺一般都要经过涂胶、（)、曝光、（)、坚膜、腐蚀、（)等步骤。

利用放射性同位素标记物质能使照相乳胶感光的原理来探测细胞内某种物质的含量与分布的方法是（)

利用射线源发出的贯穿辐射线穿透焊缝后使胶片感光 焊缝中的缺陷影像便显示在经过处理后的射线照相底片上

X线透视是利用A.穿透作用B.荧光作用C.电离作用D.感光作用E.着色作用