硅外延生长工艺包括（)。A.衬底制备B.原位HCl腐蚀C.生长温度，生长压力，生长速度D.尾气的处理

什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得衬底／外延界面杂质分布有怎样的变化？

衬底清洗过程包括哪几个步骤？

硅外延片的应用包括（)。A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路D.超大规模集成电路

某石灰石矿山原矿区己开采完毕 将外延扩建新矿区 工程分析时应说明（）。A. 新矿区征用的土地量 B

某石灰石矿山原矿区已开采完毕 将外延扩建新矿区 工程分析时应考虑（）。A.新矿区征用的土地量

制备非晶硅所要求的条件原则与晶体硅相比要高得多。()