问题
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使用成瘾物质后会产生“快感”,可能的生化基础是A、突触间隙DA浓度升高B、突触间隙谷氨酸浓度升高C、
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对电突触的描述,错误的是()。A.结构基础是缝隙连接B.突触前后膜的电阻较低C.为双向传递D.为单向传
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IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜 使突触后膜的A. K+通道开放 B. Na+通道开放
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IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜 使突触后膜的A. K+通道开放 B. Na+通道开放
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一般认为 使用成瘾性物质后产生“快感”是由于A 突触间隙DA降低B 突触间隙DA升高C 突触间隙N
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关于电突触的叙述 错误的是A.与化学性突触相比 突触间隙狭窄B.突触前后膜阻抗较低###SX