对厚度为0.08cm的n型GaAs，沿x方向通以50mA的电流，沿z方向加以0.5T的磁场，得到－0.4mV的霍尔电压，试求：

程序段N0025G90X60.0Z–35.0R–5.0F3.0;中R为工件被加工锥面大小端半径差其值为（)mm，方向为（)。

某霍尔元件ι×b×d=10mm×3.5mm×1mm，沿ι方向通以电流I=1.0mA，在垂直于ιb面方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏

如图4-2所示 将大小为100N的力F沿x y方向分解 若F在x轴上的投影为50N 而沿x方向的分

将大小为100N的力F沿x y方向分解 如图所示 若F在:x轴上的投影为50N 而沿x方向的分力的

如图4-2所示 将大小为100N的力F沿x y方向分解 若F在x轴上的投影为50N 而沿x方向的分

如图4-2所示 将大小为100N的力F沿x y方向分解 若F在x轴上的投影为50N 而沿x方向的分