突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

IPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而产生的（　　）A.

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

突触后膜对下列某种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位 该离子是

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生兴奋性突触后电位

抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )A.Na+ K+ 尤