非晶硅薄膜的厚度约为()。

一束光垂直照射在透明薄膜上，薄膜的折射率为n。欲使反射光线最强，则薄膜的最小厚度应为：A．λ／4B．λ／

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.砸鼓检测器B.IP成像转换器C.直接转换平板探测器

非晶态合金铁芯磁化性能大为改善 其B-H磁化曲线很狭窄 因此其磁化周期中的磁滞损耗大大降低 又由于非晶态合金带厚度很薄 并且电阻率高 其磁化涡流损耗也大大降低。

应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A.硒鼓检测器B.CR成像板(IP)C.直接转换平板探测器

太阳能电池级的?c-Si是由包含非晶50nm的微晶群体 具有110优先配位的宏观“有效微晶介质”层组成的 薄膜的电学及光电特性的概况由此决定。

在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP 将得到的灯光用平光镜聚光 然后缓慢地移动位置 使多晶硅薄膜再结晶化。