在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于()。
A、材料
B、温度
C、压力
D、掺杂浓度
在本征半导体中掺入少量的铝元素,可以形成 P型半导体,多子是空穴。()
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂()加速到的需要的(),直接注入到半导体晶片中,并经适当温度
在杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于_______ 而少数载流子的浓度则与_______有很大关系。
在杂质半导体中 多数载流子的浓度取决于( )A.晶体缺陷B.温度C.杂质浓度D.掺杂工艺
杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于()。
在杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于()