当前位置: 答题翼 > 问答 > 其他 > 正文
目录: 标题| 题干| 答案| 搜索| 相关
问题

设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S£¯λ2X2 反射波的声压与缺


设晶片表面的平均入射声压为P0则理想园平面小缺陷的反射声压PF=P0As·S/λ2X2,反射波的声压与缺陷面积S成()比,同时与缺陷距离X的()成反比而()。面积为As的晶片近场距离为N,当距离在1.6N以外时,这个算式可以认为基本上是成立的。

请帮忙给出正确答案和分析,谢谢!

参考答案
您可能感兴趣的试题
  • 两瓶不同类型的理想气体,设分子平均动能相等,但其分子数密度不相等,则()。(A) 压强相等,温度相等(

  • 电路如图所示 设运放均有理想的特性 则输出电压uo为()。

  • 压电传声器() A.由压电晶片完成声电转换B.通过声压使压电晶片两侧产生电量相等的异

  • 测得的5个声压级分别为94dB 97dB 89dB 90dB 99dB 则使用能量平均法计算出的平均声压级为()。

  • 平面波垂直入射到界面上 入射声压等于透射声压与反射声压之和。()

  • 自然光以60°的入射角照射到某一透明介质表面时 反射光为线偏振光 则 A.折射光为线偏振光 折射角为30° B.