N型半导体中杂质原子所形成的局部能级(也称施主能级) 在能带中应处于()。

在多电子原子中，轨道能级与。A、n有关B、n，l有关C、n，l，m有关D、n，l，m，ms都有关

下列材料属于N型半导体是（)。A.硅中掺有元素杂质磷（P)、砷（As)B.硅中掺有元素杂质硼（B)、铝（Al)C

杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（)扩散和（)扩散两种。

N型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。

离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

以As掺入Ge中为例 说明什么是施主杂质 施主杂质电离过程和n型半导体。