以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中 正确的是()。

PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。（)

静电危害是由静电电荷和静电场能量引起的。下列关于生产过程所产生静电的危害形式和事故后果的说法中 正

PN结加正向电压时 空间电荷区将（)。A.变窄B.基本不变C.加宽

PN结加正向电压时 空间电荷区将变宽。()

在外电场的作用下 电介质的极化是由正 负离子相对位移形成的称为空间电荷极化。

P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做()。