对n沟增强型MOSFET而言 源极接地 半导体表面达到强反型后 ___在沟道中______进行输运。

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结（)。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏

N沟道增强型MOSFET的VGS=0时 VDS加正向电压有导电沟道 加反向电压时没有导电沟道()

如果 N沟道增强型MOSFET工作在饱和区 则满足iD=Kn()的平方。其中 Kn和 vGS 是常数

N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT 漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差()

N沟道增强型MOSFET的VGS的作用是形成导电沟道 VDS的作用是使沟道内载流子产生定向移动和产生沟道夹断()

增强型MOSFET导电沟道的形成是由衬底中的少子产生的()