PN结的反向电流是由少数载流子产生的。()

稳压管的稳压性能是利用（)实现的。A.PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数，也是评价（)的重要标志。A.扩散层质量B.设

离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能

PN结的反向电流是由多数载流子产生的。()

稳压管的稳压性能是利用( )实现的。A.PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性C.PN结的正向导通

漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。()