场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

某场效晶体管，在漏、源电压保持不变的情况下，栅、源电压变化为2V时，相应的漏极电流变化为4mA，该管的跨导是（)。

场效应管是通过改变（)来控制漏极电流的。

有一FET，其输出特性曲线如图所示。试问该管是什么类型？其UGS（th)或UGS（off)为多大？试计算uGS=－2V、uDS=10V时

增强型场效应管是指一种金属－氧化物－半导体场效应晶体管，在其栅压为零时漏极电流为零，即没有导

某二端网络的端口u-i特性曲线如图所示 则该二端网络的等效电路为:

图示电路中 N为含源线性电阻网络 其端口伏安特性曲线如图b)所示 其戴维南等效电路参数应为：