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问题

下列因素中 能提高一次脱硅速度和深度的是()。


下列因素中,能提高一次脱硅速度和深度的是()。

A、提高脱硅温度

B、适宜降低αK值

C、添加晶种

D、采用高压脱硅

参考答案
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