陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用()。

陷阱效应对少数载流子寿命测量的影响可以采用（)。

A、使整个样品加底光照

B、加底光照后用氙灯闪光进行照射

C、将硅单晶加热到50～70℃

D、将硅单晶加热到60～80℃