铸造多晶硅晶体生长完成后 硅锭保持在熔点附近2~4h 使硅锭温度均匀 以减少热应力。()

多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干 其中切片工序循环使用碳化硅及

多晶硅切片加工项目的生产工艺为硅锭→剖方定位→切片→纯水清洗→电烘干 其中切片工序循环使用碳化硅及

高纯硅制造多晶硅 不是拉成单晶 而是熔化定向凝固成正方形的硅锭。（)

多晶体经过塑性变形后各晶粒沿变形方向显著伸长的现象称为()。

在铸造多晶硅锭中 氧在高度方向的分布是上部高下部低。()

影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸 固液界面 热应力 来自坩埚的污染等。()