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铸造多晶硅晶体生长完成后硅锭保持在熔点附近2~4h 使硅锭温度均匀以减少热应力。()

铸造多晶硅晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，以减少热应力。（)

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