场效应晶体管是利用改变平行于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力而实现放大作用的。()

功率场效应晶体管一般为（)。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

光敏晶体管是利用物质在光的照射下电导性能改变或产生（)而制成的光电器件。A、外光电效应B、光

场效应管是依靠（)导电的一种器件，它的输入阻抗比一般晶体管（)，且热稳定性（)。

晶体管是电流控制型半导体器件 而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件。

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()