14 PECVD 的全称是?
A、等离子刻蚀
B、化学气相沉积
C、等离子增强化学气相沉积
D、物理化学气相沉积
二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
PECVD 的中文名称是等离子体增强化学气相沉积技术()
PECVD是指______
NRI的中文全称为网络资源标识 占用()的第23bit—14bit作为NRI标识。
LPCVD和PECVD的不同包括:
PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的 低温化()