影响铸造多晶硅晶体生长的主要因素是晶粒尺寸 固液界面 热应力 来自坩埚的污染等。()

影响胃排空速度的因素是（)A.空腹与饱腹B.药物因素C.药物的组成和性质D.药物的多晶体E.药物的油水

晶体硅材料(包括多晶硅和单晶硅)是最主要的光伏材料 也是（ ）的主流材料。A.燃料电池 B.锂电池

晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料 也是（ ）的主流材料。 A.燃料电池 B.锂电

铸造多晶硅的晶粒的大小一般为()。

铸造多晶硅主要的工艺有()。

铸造多晶硅晶体生长完成后 硅锭保持在熔点附近2~4h 使硅锭温度均匀 以减少热应力。()