当半导体内注入了非平衡载流子后 一方面依靠体内的杂质和缺陷作为复合中心 另一方面依靠表面能级作为复合中心。()

当温度升高时，本征半导体中载流子的浓度：（)A.自由电子浓度增大，空穴浓度减小B.空穴浓度增大，自

本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。（)

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp

半导体中的少数载流子产生的原因是（)A.外电场B.内电场C.掺杂D.热激发

用适当频率的方脉冲照射到某n型半导体样品上 被样品内部均匀吸收并产生非平衡载流子 其产生率为gp 非平衡空

离子注入所造成的晶格损伤会直接影响半导体材料和器件的特性 主要影响有() 1 PN 结反向漏电流增大 2 载流子迁移率下降 3 少子寿命下降 4 杂质原子大多处于间隙位置不能提供导电性能