什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

功率场效应晶体管一般为（)。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？

辐射发生器包括下列哪些？（)A.加速器（电子、质子、重离子等)B.X－ray装置、粒子注入器C.放射性同位

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()

场效应晶体管是利用改变平行于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力而实现放大作用的。()