由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同，突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
IPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性（)
EPSP的产生是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性（)
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
兴奋性突触后电位是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性而引起的
神经递质与突触后膜受体结合后 使后膜对Na＋通透性提高 将引起后膜的电位变化是A 兴奋性突触后
冀公网安备 13070302000102号
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