关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
请帮忙给出正确答案和分析，谢谢！
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A、是局部去极化电位B、具有"全或无"性质C、是局部超极化
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是A．是局部去极化电位 B具有“全或无”性质 C.是局部超
下列关于抑制性突触后电位的叙述 正确的是 A.是局部除极化电位 B.具有“全或无”性质C.是局部超
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
抑制性突触后电位产生的离子机制是
关于抑制性突触后电位的产生 正确的叙述是
冀公网安备 13070302000102号
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