抑制性突触后电位产生的离子机制是
A.Na[~+.gif]内流B.K[~+.gif]内流C.Ca[~2+.gif]内流D.Cl[~-.gif]内流E.K[~+.gif]外流
与产生抑制性突触后电位相关的主要离子是A．B．C．D．E．
抑制性突触后电位产生的离子机制是A Na+内流B K+内流C Ca2+内流D Cl-内流E K +
抑制性突触后电位产生的离子机制是A. Na+内流B. K+内流C. Ca 2+内流D. Cl -内
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
产生抑制性突触后电位（IPSP)的主要机制是
冀公网安备 13070302000102号
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