抑制性突触后电位产生的离子机制是
A. Na+内流
B. K+内流
C. Ca 2+内流
D. Cl -内流
E. K+外流
膜对哪种离子的通透性升高时 可产生抑制性突触后电位（ ）A.
抑制性突触后电位产生的离子机制是A Na+内流B K+内流C Ca2+内流D Cl-内流E K +
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
冀公网安备 13070302000102号
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