LTE中，上行的导频信号就是用于E－UTRAN与UE同步和上行信道估计。

在LTE架构中EPC和E-UTRAN之间的接口为_;eNodeB之间的接口是_。

TD-SCDMA的导频污染中引入()的定义来定义导频污染

TD－LTE中 判断上行基站侧接收信号强度情况 以及是否处于小区覆盖边缘主要通过()A.CRS－SINRB.M

假设某业务在的上行最大耦合损耗为143dB 由于上下行频率差导致的路径损耗差异为1.4dB 导频发射功率功率为33dBm 室内穿透损耗取13dB 则保证上行链路质量所需的导频RSCP要求为:()

TD-SCDMA 的导频污染中引入( )的定义来定义导频污染

TD-SCDMA的导频污染中引入( )的定义来定义导频污染