突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位
A.K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是Cl[~-.gif]B.Na[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是Cl[~-.gif]C.K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是K[~+.gif]D.Ca[~2+.gif]、CI[~-.gif]，尤其是Ca[~2+.gif]E.Na[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤优其是Na[~+.gif]
EPSP是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（ ）A.
突触后膜对哪些离子通透性增加引起抑制性突触后电位A K+ Cl- 尤其是K+B Na+ Cl-
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加 包括
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
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