与形成抑制性突触后电位有关的离子是
A.Na[~+.gif]、K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是Na[~+.gif]B.K[~+.gif]、Cl[~-.gif]尤其是Cl[~-.gif]C.Na[~+.gif]L、K[~-.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是K+D.Ca[~2+.gif]、K[~+.gif]、CI[~-.gif]，尤其是Ca[~2+.gif]E.K[~+.gif]、Cl[~-.gif]，尤其是K[~+.gif]
与产生抑制性突触后电位相关的主要离子是A．B．C．D．E．
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致
抑制性突触后电位产生的离子机制是
与兴奋性突触后电位形成有关的离子是
抑制性突触后电位形成是突触后膜对某些离子通透性增加 包括
抑制性突触后电位形成是突触后膜对下列哪些离子通透性增加
冀公网安备 13070302000102号
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