已知某霍尔传感器的激励电流I=3A 磁场的磁感应强度B=5×10－3T 导体薄片的厚度d=2mm

在霍尔材料的垂直方向上施加一稳定磁场B，相对两侧施加控制电流I，另外两端产生电势差，这种现象

霍尔电压正比于电流强度和磁场强度，且与霍尔元件的形状有关（)

对厚度为0.08cm的n型GaAs，沿x方向通以50mA的电流，沿z方向加以0.5T的磁场，得到－0.4mV的霍尔电压，试求：

某霍尔元件ι×b×d=10mm×3.5mm×1mm，沿ι方向通以电流I=1.0mA，在垂直于ιb面方向加有均匀磁场B=0.3T，传感器的灵敏

试证在基态氢原子中 电子运动时的等效电流为1.05×10－3A。在氢原子核处 这个电流产生的磁场的

霍尔元件灵敏度KH=40V/(A·T) 控制电流I=3.0mA 将它置于变化范围为1×10-4~5×10-4T的线性变化的磁场中 它输出