双端口存储器和多模块交叉存储器属于并行存储器结构。前者采用______技术 后者采用______技术。

设存储模块共m块，每块共n个单元，采用高位交叉编址，则m＋2地址在第1块，当m＋2≤n。（)

双端口存储器所以能高速进行读写 是因为采用了（)。A.高速芯片B.两套相互独立的读写电路C.流水技

已知单个存储体的存储周期为110ns 总线传输周期为10ns 则当采用低位交叉编址的多模块存储器时

一个四体并行低位交叉存储器 每个模块的容量是64K×32位 存取周期为200 ns 在下述说法中_

双端口存储器在（)情况下会发生读／写冲突。A．左端口与右端口的地址码不同B．左端口与右端口的地址码

交叉存储器实质上是一种( )存储器 它能( )执行( )独立的读写操作。A.模块式 并行 多个B.模