抑制性突触后电位的产生 是由于哪种离子在突触后膜的通透性增加所致?A.K+ Cl- 尤其是Cl-B.Ca2+ K

抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪些离子的通透性增高？（)A.Na＋B.K＋C.Na＋和K＋D.Ca

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（)的通透性增加所致。A.Na＋ Cl－ K＋ 尤其是K＋B

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子通透性增加所致 ( )A.Na+ K+ 尤

突触前抑制是由于突触前膜A.释放抑制性递质B.产生抑制性突触后电位C.产生超极化D.递质耗竭E.兴奋