三极管的发射区面积大 杂质浓度高 多数载流子数量多。()

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。（)

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。（)

若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。（)

三极管放大区的放大条件为( )。A.发射结正偏 集电结反偏B.发射结反偏或零偏 集电结反偏C.发射结和

NPN型晶体三极管的发射区和集电区都是N型半导体 所以 它的发射区和集电区可以互换。

三极管放大区的放大条件为发射结正偏 集电结反偏。