由于有效基区宽度的变化 引起基区中少子积累的变化 反应出()的充放电效应。

由于有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（)的充放电效应。

A、集电结势垒电容

B、集电结扩散电容

C、发射结势垒电容

D、发射结扩散电容