一个p型半导体 受主密度NA=1.04×1016/cm3 该半导体的禁带宽度Ev=1.12eV 电子亲和势χ=3.4eV 在室温下测得它

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过

发光二极管的核心部分是由P型半导体和n型半导体组成的晶片，在P型半导体和n型半导体之间有一个过

BaTiO3陶瓷半导体化的方法有________。A.进行受主离子掺杂B.在缺氧的气氛下烧结C.进行施主离子

P型半导体的多数载流子是空穴 因此P型半导体带正电。（)

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结 计算在室温（300K)时