p沟增强型MOS管的开启电压为___ 沟道中导电载流子为___。

功率场效应晶体管一般为（)。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

增强型PMOS管的开启电压（)。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零

空气瓶安全阀开启压力，按CCS规定，应不超过（p为最大工作压力)______。A.1.05×pB.1.1×pC.1.5×pD.1.6

对n沟增强型MOSFET而言 源极接地 半导体表面达到强反型后 ___在沟道中______进行输运。

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

N沟道增强型MOSFET饱和区工作条件是删源电压VGS大于开启电压VT 漏源电压 VDS 大于 删源电压VGS和开启电压VT之差()