对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms－1，表面反应速率系数ks=1×107exp（

对于R717蒸汽压缩式制冷系统，其出水温度为37℃，制冷量为900kW，则为该系统所配的空气分离器的简体

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？

物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？

溅射法是由（)轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A.电子B.中性粒子C

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？