P-MOSFET是指P沟道的场效应管()

功率场效应晶体管一般为（)。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型

零偏压电路适用于所有的场效应管放大电路。（)

什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling)和临界角？怎样避免沟道效应？

功率MOSFET依据导电沟道可分为PMOS管和NMOS管。()

场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示 其类型为()场效应管。A.P沟道增强型MOS型B.P沟道耗尽型MOS

耗尽型场效应管是指没有加偏置电压时有导电沟道存在()